FZ1200R17HP4_B2供应商库存(更新时间:2024-06-07 15:47)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon Technologies
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FZ1200R17HP4_B2
德国英飞凌
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整流桥 IGBT 模块
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只做原装,可提供样品
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FZ1200R17HP4_B2参数规格
功能描述:IGBT 模块 IGBT 1700V 1200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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