BSC018N04LSGATMA1
类别：分立半导体产品 晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商：Infineon Technologies
系列：OptiMOS™
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.8 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 85µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：12000 pF @ 20 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），125W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装：PG-TDSON-8-1
