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NVF2955T1G 场效应管 P沟道MOS管60V 贴片SOT223

来源: 深圳市宗天技术开发有限公司 发布时间:2022-03-25

公司名: 深圳市宗天技术开发有限公司

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摘要:NVF2955T1G
深圳市宗天技术开发有限公司 公司经销Infineon,IR,FAIRCHILD,ST,FUJI,TOSHIBA,SANYO等国际**品牌,
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列,
主要应用于锂电池保护板/**无刷电调、电脑主板显卡/无刷电机、太阳能/LED照明电源、
UPS电源/电动车控制器、HID灯/逆变器、电源适配器/开关电源、镇流器、汽车电子等。

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
170 毫欧 @ 750mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
492 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223(TO-261)
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
基本产品编号
NVF2955
媒体和下载
资源类型 链接
规格书 NTF2955,NVF2955
环保信息
onsemi RoHS3
Material Declaration NVF2955T1G
onsemi REACH219
PCN 组装/来源 Wire Bond 04/Dec/2020
PCN 封装 Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
HTML 规格书 NTF2955,NVF2955
EDA/CAD 模型 NVF2955T1G by Ultra Librarian