TAJD157K016RNJ_TAJD157K016RNJ导读
今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管：NCE3401。
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TLJP336M006R3000
TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。
060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
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TAJB225K025RNJ
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
先讲讲MOS/CMOS集成电路 MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。
1、P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V 如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw 那么mos管不导通，D为0V，所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。
如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。 GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。
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]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过，由于C gd 电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从而使得Vgs 近乎水平状态，Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。
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