STW20NM65N供应商库存(更新时间:2024-06-06 17:08)
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STW20NM65N
ST-意法半导体
78800
TO-247-3
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STW20NM65N
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STW20NM65N
ST
9000
TO2473
22+
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STW20NM65N
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16900
NA
23+
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STW20NM65N
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5000
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2024
国产品牌isc,可替代原装
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STW20NM65N
3000
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STW20NM65N参数规格
功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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製造商:STMicroelectronics
產品類型:MOSFET
技術:Si
安裝風格:ThroughHole
封裝/外殼:TO-247-3
晶體管極性:N-Channel
通道數:1Channel
Vds-漏-源擊穿電壓:600V
Id-C連續漏極電流:29A
RdsOn-漏-源電阻:110mOhms
Vgs-閘極-源極電壓:-25V,+25V
Vgsth-門源門限電壓:
发布时间:2021-06-09